Wafer Dimention：157.0±0.25mm    

Thickness：180+20/-10µm    

TTV：≤30µm    

Line mark：深度（depth）≤15.0µm，硅⽚表 接触式表⾯粗糙度粗度仪或硅⽚
⾯ 1cm 宽度内线痕条数(number)≤5 ⾃动检测设备（Mitutoyo SJ-210条且深度为≤10µm.  ⾦刚线硅⽚  or wafer inspection system）（Diamond-wire Slicing Multi-siWafer）线痕间距≥2mm(控制在 4mm)    

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